為什么是3D NAND？
3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND（納米制程技術(shù)）截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D NAND結(jié)構(gòu)是以垂直半導體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結(jié)構(gòu)形成多電柵級存儲器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲密度的同時降低成本。
以三星的3D NAND產(chǎn)品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機寫入功能。3D NAND Flash技術(shù)的出現(xiàn)及其帶來的市場格局變化，為我國集成電路制造企業(yè)進入主流存儲器制造領(lǐng)域提供了有利的契機。洪沨認為，相對于DRAM，后者對于后進者的技術(shù)和成本壁壘更高。
調(diào)研機構(gòu)IC Insight報告顯示，2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降，3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200％的年均復合增長率遞增，預(yù)計2020年達到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品，成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。
洪沨指出，從NAND Flash產(chǎn)品的主流廠商態(tài)勢分析來看，東芝/閃迪的每10萬片單位產(chǎn)出高于三星、美光和英特爾，但在3D NAND的布局來看，三星已經(jīng)領(lǐng)先于其他廠商，目前3D NAND技術(shù)占比已達到11%。
產(chǎn)品目標和進展
洪沨表示，武漢新芯在電荷俘獲型存儲器領(lǐng)域的長期研發(fā)和量產(chǎn)的經(jīng)驗成為其在3D NAND 研發(fā)上的關(guān)鍵優(yōu)勢。武漢新芯將通過完成先導產(chǎn)品的研發(fā)，迅速達到3D NAND國際主流技術(shù)水平并開始切入存儲器國際市場，同時會全力推動整體產(chǎn)能擴充。在2020年達到月產(chǎn)30萬片，進入世界存儲器產(chǎn)品市場第一梯隊。
據(jù)洪沨透露，武漢新芯的產(chǎn)品及工藝模塊的研發(fā)推進順利。今年5月，武漢新芯宣布其3D NAND項目研發(fā)取得突破性成果，第一個存儲測試芯片通過存儲器功能的電學驗證。目前，在更高階層的工藝研發(fā)及存儲單元性能上，都取得了更多重要進展。
為什么發(fā)展存儲器？
存儲器廣泛應(yīng)用于大型云存儲運算中心、服務(wù)器、電腦、手機及各類電子產(chǎn)品中。存儲器處于半導體行業(yè)領(lǐng)頭羊地位，發(fā)展態(tài)勢良好，2014年～2019年均復合增長率達到8%。2014年全球存儲器市場規(guī)模約750億美金，占據(jù)整個半導體市場的21%，預(yù)計2019年存儲器市場規(guī)模超過1140億美金，約占半導體市場的30%。
洪沨表示，武漢新芯預(yù)計未來10年，主流存儲器具備的工藝穩(wěn)定、成本和價格等優(yōu)勢仍將繼續(xù)占據(jù)市場的主流。存儲器約占全球芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能和固定資產(chǎn)投入的三分之一，武漢新芯需要在產(chǎn)業(yè)積累期長期堅持和持續(xù)不斷的投入。
一直以來，中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場高達800億美元，占據(jù)全球95%以上的市場份額。而中國每年進口的存儲芯片就占55%的全球市場份額。
武漢新芯擁有參與全球化競爭的知識產(chǎn)權(quán)平臺，啟動3D NAND項目，具備全球化視野。洪沨分享到，目前我們已擁有一支經(jīng)驗豐富的國際化管理團隊，包括業(yè)界頂尖領(lǐng)軍人才和專家，并有大量的專業(yè)人才儲備。
全球存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)持續(xù)更新，對單顆芯片容量的密度要求越來越大。洪沨認為，存儲器規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)明顯，產(chǎn)品種類相對單一，價格敏感性高，只有保持規(guī)模經(jīng)營，緊跟技術(shù)進步，追求更低的制造成本，才有機會在市場競爭中勝出。全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新模式，將為實現(xiàn)戰(zhàn)略突破打下堅實的基礎(chǔ)。
3D NAND技術(shù)與現(xiàn)有的2D NAND（納米制程技術(shù)）截然不同，2D NAND是平面結(jié)構(gòu)而3D NAND是立體結(jié)構(gòu)，3D NAND結(jié)構(gòu)是以垂直半導體通道的方式排列，多層環(huán)繞式柵極(GAA)結(jié)構(gòu)形成多電柵級存儲器單元晶體管，可以有效的降低堆棧間的干擾。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能顯著提升，而且功耗可以大幅降低，在提升存儲密度的同時降低成本。
以三星的3D NAND產(chǎn)品為例，它比1x納米NAND Flash更加可靠，功耗更低，并且擁有隨機寫入功能。3D NAND Flash技術(shù)的出現(xiàn)及其帶來的市場格局變化，為我國集成電路制造企業(yè)進入主流存儲器制造領(lǐng)域提供了有利的契機。洪沨認為，相對于DRAM，后者對于后進者的技術(shù)和成本壁壘更高。
調(diào)研機構(gòu)IC Insight報告顯示，2D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將從2015年開始以每年17.1%的速度快速下降，3D NAND Flash產(chǎn)品的出貨量將以200％的年均復合增長率遞增，預(yù)計2020年達到NAND Flash總量的70%的水平。未來3D NAND Flash產(chǎn)品將逐漸取代傳統(tǒng)的2D NAND Flash產(chǎn)品，成為NAND Flash的主流產(chǎn)品。
洪沨指出，從NAND Flash產(chǎn)品的主流廠商態(tài)勢分析來看，東芝/閃迪的每10萬片單位產(chǎn)出高于三星、美光和英特爾，但在3D NAND的布局來看，三星已經(jīng)領(lǐng)先于其他廠商，目前3D NAND技術(shù)占比已達到11%。
產(chǎn)品目標和進展
洪沨表示，武漢新芯在電荷俘獲型存儲器領(lǐng)域的長期研發(fā)和量產(chǎn)的經(jīng)驗成為其在3D NAND 研發(fā)上的關(guān)鍵優(yōu)勢。武漢新芯將通過完成先導產(chǎn)品的研發(fā)，迅速達到3D NAND國際主流技術(shù)水平并開始切入存儲器國際市場，同時會全力推動整體產(chǎn)能擴充。在2020年達到月產(chǎn)30萬片，進入世界存儲器產(chǎn)品市場第一梯隊。
據(jù)洪沨透露，武漢新芯的產(chǎn)品及工藝模塊的研發(fā)推進順利。今年5月，武漢新芯宣布其3D NAND項目研發(fā)取得突破性成果，第一個存儲測試芯片通過存儲器功能的電學驗證。目前，在更高階層的工藝研發(fā)及存儲單元性能上，都取得了更多重要進展。
為什么發(fā)展存儲器？
存儲器廣泛應(yīng)用于大型云存儲運算中心、服務(wù)器、電腦、手機及各類電子產(chǎn)品中。存儲器處于半導體行業(yè)領(lǐng)頭羊地位，發(fā)展態(tài)勢良好，2014年～2019年均復合增長率達到8%。2014年全球存儲器市場規(guī)模約750億美金，占據(jù)整個半導體市場的21%，預(yù)計2019年存儲器市場規(guī)模超過1140億美金，約占半導體市場的30%。
洪沨表示，武漢新芯預(yù)計未來10年，主流存儲器具備的工藝穩(wěn)定、成本和價格等優(yōu)勢仍將繼續(xù)占據(jù)市場的主流。存儲器約占全球芯片生產(chǎn)線產(chǎn)能和固定資產(chǎn)投入的三分之一，武漢新芯需要在產(chǎn)業(yè)積累期長期堅持和持續(xù)不斷的投入。
一直以來，中國的存儲芯片產(chǎn)業(yè)基本空白，幾乎100%依賴進口。三星、美光、東芝、海力士等企業(yè)壟斷的存儲器市場高達800億美元，占據(jù)全球95%以上的市場份額。而中國每年進口的存儲芯片就占55%的全球市場份額。
武漢新芯擁有參與全球化競爭的知識產(chǎn)權(quán)平臺，啟動3D NAND項目，具備全球化視野。洪沨分享到，目前我們已擁有一支經(jīng)驗豐富的國際化管理團隊，包括業(yè)界頂尖領(lǐng)軍人才和專家，并有大量的專業(yè)人才儲備。
全球存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)持續(xù)更新，對單顆芯片容量的密度要求越來越大。洪沨認為，存儲器規(guī)模經(jīng)濟效應(yīng)明顯，產(chǎn)品種類相對單一，價格敏感性高，只有保持規(guī)模經(jīng)營，緊跟技術(shù)進步，追求更低的制造成本，才有機會在市場競爭中勝出。全產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新模式，將為實現(xiàn)戰(zhàn)略突破打下堅實的基礎(chǔ)。
01月07日 18:14
