內(nèi)存/閃存今年集體缺貨、漲價(jià)!罪魁禍?zhǔn)资撬?/h1>

內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也強(qiáng)調(diào),NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代,制程良率無法提升,預(yù)計(jì)將缺貨一整年。
   從2016年下半年開始,內(nèi)存、閃存的缺貨漲價(jià)勢(shì)頭開始上揚(yáng),2017年這一局面將繼續(xù)擴(kuò)散蔓延,而且一整年都未必會(huì)有改觀。

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  據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道,內(nèi)存大廠金士頓近日表態(tài),今年因?yàn)橹饕腄RAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃,全年DRAM內(nèi)存都面臨缺貨窘境。此外,群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也強(qiáng)調(diào),NAND閃存因?yàn)檫M(jìn)入3D世代,制程良率無法提升,預(yù)計(jì)將缺貨一整年。

  日前,金士頓董事長(zhǎng)陳建華出席群聯(lián)竹南三廠上梁典禮時(shí),針對(duì)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)進(jìn)行了分析,他表示,目前主要DRAM內(nèi)存大廠都沒有增產(chǎn)計(jì)劃,而且將主要產(chǎn)能轉(zhuǎn)移生產(chǎn)3D NAND閃存,造成DRAM內(nèi)存供需短缺。

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  值得一提的是,三星是這波DRAM內(nèi)存價(jià)格上漲的主要推手。目前,三星超過7成產(chǎn)能已經(jīng)被蘋果以及自家手機(jī)、大陸的OPPO/vivo瓜分,能供應(yīng)給其它品牌的十分有限,其產(chǎn)能轉(zhuǎn)型為成長(zhǎng)速度最快的3D NAND閃存。

  其它廠家也有跟進(jìn),但良品率都不及三星,讓三星有資格和能力主導(dǎo)價(jià)格調(diào)整,以彌補(bǔ)其Note 7手機(jī)停產(chǎn)造成的損失。

  除了DRAM內(nèi)存工序失衡外,相關(guān)PCB板材料短缺,也是價(jià)格上漲的因素之一。
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