1月19日消息 據(jù)聯(lián)合財(cái)經(jīng)網(wǎng)報(bào)道，昨天臺(tái)積電正式表示，旗下5nm制程工藝基地最快將在今年動(dòng)工，目標(biāo)是在2020年實(shí)現(xiàn)5nm工藝量產(chǎn)，以拉開(kāi)與三星和英特爾的制程差距。
臺(tái)積電高管莊子壽表示，5nm工藝目前仍在發(fā)展當(dāng)中，臺(tái)積電5nm工藝是未來(lái)兩到三年的目標(biāo)，預(yù)期5nm基地占地40公頃，投資額為幾千億新臺(tái)幣，待臺(tái)積電董事會(huì)通過(guò)后就會(huì)啟動(dòng)。
5nm制程工藝不僅擁有更好的芯片特性，更使得在生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中更節(jié)能環(huán)保，與25nm制程工藝相比，5nm工藝制造階段用電量?jī)H為10%，同時(shí)污染總量以及廢水排放量也會(huì)減少。
目前臺(tái)積電制程重心在于16nm工藝以及10nm工藝，5nm工藝量產(chǎn)還需三年的時(shí)間。
01月07日 18:14
