IC Insights發(fā)布最新McClean報告中指出，2017年DRAM和NAND的平均售價（ASP）的增長速度將于第三季度逐漸放緩，但以全年來看，DRAM ASP 的年增長率達(dá)63%，NAND ASP 增長33%，均創(chuàng)下了歷史新高。
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經(jīng)IC insights預(yù)測，DRAM和NAND存儲器的銷量預(yù)計今年將創(chuàng)歷史新高，究其原因是因為產(chǎn)品平均售價（ASP）的快速增長。 具體來看，2017年DRAM的實際出貨量預(yù)計會有所下滑，而NAND出貨量僅增長2%，但足夠推動閃存市場的增長勢頭。圖中顯示了DRAM、NAND的季度ASP增長率：從2016年第三季度開始到2017年第二季度，DRAM的平均售價（ASP）上漲了16.8%，NAND上漲了11.6%，保持了持續(xù)增長態(tài)勢。
隨著DRAM 平均售價的快速增長，DRAM 廠商將再次加大對這一領(lǐng)域的支出。然而，技術(shù)研發(fā)的投入占比遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于量產(chǎn)的投入。IC Insights 預(yù)測2017年 所有閃存的支出將用于3D NAND技術(shù)而非2D閃存。因此今年在NAND閃存的最大投入來自三星，7月4日，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線正式投產(chǎn)，將生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達(dá)20萬片，并計劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備。
縱觀歷史態(tài)勢，大量資金投入通常會導(dǎo)致產(chǎn)能過剩和定價疲軟的情況出現(xiàn)。因此，三星、SK Hynix、Micron、英特爾、東芝/閃迪 和長江存儲，都計劃在未來幾年內(nèi)大幅度提升3D NAND閃存容量，這一輪將有中國的廠家加入進(jìn)來。那么在未來幾年內(nèi)，產(chǎn)能過剩的現(xiàn)象極有可能再發(fā)生。
IC Insights數(shù)據(jù)顯示，DRAM季度平均售價在2016年第四季度上升到22.8%（最高），一直到2017年第二季度仍呈現(xiàn)強(qiáng)勁上漲趨勢。據(jù)IC Insights預(yù)測，DRAM ASP預(yù)計在2017年第三季度達(dá)到最高，在2017年第三季度開始小幅度下滑，標(biāo)志著一個良性周期就此告一段落。
經(jīng)預(yù)測，盡管今年下半年DRAM ASP的增長速度將會放緩，但DRAM ASP的年增長率仍將有63%，這比1997年的歷史最高年增長率仍高出6個百分點，創(chuàng)下又一個歷史新高。而2017年，NAND的年度ASP預(yù)計將增長33%，創(chuàng)歷史新高。 (2000年，以 NOR Flash的 ASP上漲了52%。)
01月07日 18:14
