三星悄悄啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)

快科技 2018-06-19 成為作者
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DRAM芯片5G基帶芯片分類：行業(yè)資訊
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三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。報道稱，三星最快在2020年開始大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。
 　　作為DRAM芯片的龍頭企業(yè)，三星目前已經(jīng)能量產(chǎn)10nm級、最大容量16Gb的LPDDR4內(nèi)存、GDDR5顯存和DDR4內(nèi)存等。
　　
　　據(jù)Digitimes引述News1 Korea報道，三星悄悄啟動了引入EUV（極紫外光）光刻工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)，基于1ynm。
　　
　　報道稱，三星最快在2020年開始大量投產(chǎn)使用EUV 1ynm制造的DRAM芯片。
 
韓媒稱三星已啟動EUV 1ynm工藝的DRAM內(nèi)存芯片研發(fā)
 
　　EUV光刻目前被三星、臺積電、Intel等用于7nm工藝節(jié)點(diǎn)上，制造的普遍是AP（應(yīng)用處理器）。三星曾表示，7nm LPP工藝將在今年下半年量產(chǎn)，明年上半年推出首款可商用的邏輯芯片。
　　
　　結(jié)合手頭掌握的資料，高通已經(jīng)確認(rèn)其5G基帶芯片將由三星的7nm代工。
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