我們知道，在半導(dǎo)體制造過程中，最復(fù)雜也是最難的步驟就是光刻，成本能占到整個生產(chǎn)過程的1/3，因此，光刻機成為最重要的半導(dǎo)體制造裝備。目前，全球最先進的光刻機就是荷蘭ASML公司生產(chǎn)的EUV光刻機，每臺售價超過1億美元，而且供不應(yīng)求。這就是EUV光刻機如此重要的原因了！
2019年，臺積電、三星開始量產(chǎn)7nm EUV工藝產(chǎn)品。而到2020年，5nm開始量產(chǎn)，EUV光刻機或許又面臨一次升級。
據(jù)驅(qū)動之家報道，掌握全球唯一EUV光刻機研發(fā)、生產(chǎn)的荷蘭ASML（阿斯麥）公司今天發(fā)布了2019年Q2季度財報，當(dāng)季營收25.68億歐元，其中凈設(shè)備銷售額18.51億歐元，總計出貨了41臺光刻機，其中EUV光刻機7臺。
在Q2季度中，ASML公司獲得了10臺EUV光刻機訂單，而且這些訂單不只是用于邏輯半導(dǎo)體工藝，還首次用于存儲芯片——在此之前，三星表示將在未來的內(nèi)存芯片生產(chǎn)中使用EUV光刻機，ASML的存儲芯片訂單應(yīng)該是來自三星了。
對于EUV光刻機，目前最主要的問題還是產(chǎn)能不足，ASML現(xiàn)在出售的光刻機型號是NXE:3400B，每小時晶圓產(chǎn)能是150到155wph，不過Q2季度中ASML已經(jīng)升級到了NXE:3400C型號，產(chǎn)能提升到了170wph，已經(jīng)有客戶做到了每天生產(chǎn)2000片晶圓的水平了。
根據(jù)ASML的路線圖，未來EUV光刻機的產(chǎn)品還會再有一次提升，每小時晶圓產(chǎn)能最終將達到185wph，不過要等到2021到2022年了。
與現(xiàn)有的光刻機相比，第二代EUV光刻機最大的變化就是High NA（高數(shù)值孔徑）透鏡，而通過提升透鏡規(guī)格使得新一代光刻機的微縮分辨率、套準精度兩大光刻機核心指標提升70%，達到業(yè)界對幾何式芯片微縮的要求。
而據(jù)之前ASML公司公布消息顯示，ASML新一代EUV光刻機的量產(chǎn)時間是2024年，盡管最新的報道稱下一代EUV光刻機2025年量產(chǎn)，但相比現(xiàn)在的EUV光刻機僅能量產(chǎn)7nm產(chǎn)品的情況下，已經(jīng)是劃時代的進步了。消息顯示，在第二代EUV光刻機真正出現(xiàn)時，臺積電、三星已經(jīng)量產(chǎn)3nm工藝，甚至開始進軍2nm、1nm產(chǎn)品階段了。
01月07日 18:14
