8月17日消息，美光本周在新加坡舉辦了慶祝Fab 10工廠擴建順利完成的儀式。盡管新的潔凈室不會增加該公司每月的晶圓產(chǎn)能，但卻能讓美光技術使用更先進的3D NAND工藝技術，生產(chǎn)具有更高層數(shù)和比特位密度的產(chǎn)品。實際上，F(xiàn)ab 10 Expansion是由多個部分組合而成的，包括了此前的Fab 10N和Fab 10X設施。
新加坡是美光閃存生產(chǎn)重要據(jù)點，臺灣和日本則是動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)重心，近幾年美光擴大亞洲投資，日本持續(xù)推升DRAM先進制程，在臺中興建美光海外首座3D DRAM封裝廠，且和臺中、桃園DRAM廠建構成為美光的DRAM卓越中心。美光并承諾擴大臺灣DRAM制造規(guī)模，相關計劃已提交臺灣地區(qū)中科管理局審核，希望政府協(xié)助解決土地、用水和用電等問題。
這座新廠是美光NAND卓越中心的一項，美光將充分利用在新加坡基礎設施和技術專長的長期投資，透過擴建無塵室并轉(zhuǎn)制程推進至3D NAND Flash。
此次美光擴建工廠后，雖然不會增加晶圓產(chǎn)能，但是更高水準的潔凈室能讓美光繼續(xù)生產(chǎn)更高層數(shù)的3D NAND產(chǎn)品，3D NAND層數(shù)越多，所需要刻蝕的時間也就越長，這要求潔凈室的環(huán)境符合更嚴格的標準。
官方指出，新3D NAND生產(chǎn)設施占地16.5萬平米。至于潔凈室的空間、以及其它擴展功能部分，美光暫未透露。
目前該工廠正在設備安裝階段，預計可在2019下半年（未來4-5個月）投產(chǎn)96層3D NAND。至于具體的生產(chǎn)安排，將依實際需求而定。
在設備齊全之后，這里也不會增加任何新的晶圓容量，而是容納更多3D NAND層數(shù)制造所需的、更先進的工藝設備。
據(jù)悉，隨著3D NAND層數(shù)的增加，每片晶圓都需要在化學氣相沉積（CVD）機器中耗費更多的時間，意味著蝕刻的工藝流程會被拖得更久。
此外，美光還會運用更多奢侈的生產(chǎn)技術。為了保持晶圓處理數(shù)量的一致性，閃存制造商必須在潔凈室中加裝額外的CVD和蝕刻機，這對設施空間提出了額外的要求。
綜上所述，盡管Fab 10 Expansion可能不會提升美光新加坡工廠的每月晶圓數(shù)量，但確實可在NAND閃存生產(chǎn)方面實現(xiàn)一定的增長。
最后，除了新的制造工廠，美光還將擴大在新加坡的研發(fā)業(yè)務。其NAND卓越中心著力進行技術研發(fā)和產(chǎn)品工程，以進一步提升Fab 10工廠的產(chǎn)能和良率。
美光強調(diào)，在新加坡興建新廠，是3D NAND Flash技術進階節(jié)點的技術轉(zhuǎn)型，因應5G、AI和自動駕駛等領域的客戶需求，同時也提升美光未來成長動能。
01月07日 18:14
