近日一篇〈臺積電真的超越英特爾？大客戶(hù)這樣吐槽……〉討論臺積電、三星的技術(shù)節點(diǎn)數字恐怕做過(guò)美化的問(wèn)題引起不小的關(guān)注，這樣的問(wèn)題其實(shí)在先前即為半導體業(yè)界所持續論戰，并在蘋(píng)果A9芯片門(mén)事件，iPhone6sA9處理器分由臺積電、三星代工時(shí)討論來(lái)到最高峰，以實(shí)際情況而言，臺積電、三星制程技術(shù)真的跟英特爾差很大？
半導體三雄納米制程到底在爭什么？
臺積電、三星與英特爾的先進(jìn)制程競賽打得火熱，在目前14/16納米之后，制程戰一路來(lái)到了10納米。這些數字背后的意義其實(shí)指的是「線(xiàn)寬」，精確一點(diǎn)而言，就是金屬氧化物半導體場(chǎng)效電晶體（MOSFET）的閘極長(cháng)度（GateLength）。
場(chǎng)效電晶體用閘極來(lái)控制電流的通過(guò)與否，以代表0或1的數位訊號，也是整個(gè)結構中最細微、復雜的關(guān)鍵，當閘極可以縮小，電晶體體積也能跟著(zhù)縮小，一來(lái)切換速度得以提升，每個(gè)芯片能塞入更多電晶體或縮小芯片體積；再者，當閘極長(cháng)度愈小，閘極下方電子通道愈窄，之間的轉換效率提升、能量的耗損也能降低，收減少耗電量之效，但當閘極太薄，源極與汲極距離愈靠近，電子也可能不小心偷溜過(guò)去產(chǎn)生漏電流，加以也有推動(dòng)力不足的問(wèn)題，這也是為何制程微縮難度愈來(lái)愈高；臺積、英特爾與三星群雄間爭的你死我活的原因。
三者14/16制程節點(diǎn)數字都灌水？
包含半導體芯片和系統還原工程與分析廠(chǎng)商ChipWorks、Techinsights與半導體分析廠(chǎng)商LinleyGroup都對臺積電、三星、英特爾16/14納米做過(guò)比較。
從LinleyGroup與Techinsights實(shí)際分析的結果，包含英特爾、臺積電與三星在14/16納米實(shí)際線(xiàn)寬其實(shí)都沒(méi)達到其所稱(chēng)的制程數字，根據兩者的數據，臺積電16納米制程實(shí)際測量最小線(xiàn)寬是33納米，16納米FinFETPlus線(xiàn)寬則為30
納米，三星第一代14納米是30納米，14納米FinFET是20納米，英特爾14納米制程在兩家機構測量結果分別為20納米跟24納米。
調研TheLinleyGroup創(chuàng )辦人暨首席分析師LinleyGwennap，在2016年3月接受半導體專(zhuān)業(yè)期刊EETimes采訪(fǎng)時(shí)，也透露了晶圓代工廠(chǎng)間制程的魔幻數字秘密，Gwennap指出，傳統表示制程節點(diǎn)的測量標準是看閘極長(cháng)度，但在行銷(xiāo)的努力下，節點(diǎn)名稱(chēng)不再與實(shí)際閘極長(cháng)度相符合，不過(guò)，差距也不會(huì )太大，Gwennap即言，三星的14納米約略等于英特爾的20納米。Gwennap認為，臺積電與三星目前的制程節點(diǎn)仍落后于英特爾，以三星而言，14納米制程稱(chēng)作17納米會(huì )較佳，而臺積電16制程其實(shí)差不多是19納米。
但美國知名財經(jīng)部落格TheMotleyFool技術(shù)專(zhuān)欄作家AshrafEassa從電子顯微鏡圖來(lái)看，認為英特爾、三星甚至臺積電在三者14/16納米制程差距或許不大。AshrafEassa對比英特爾14與22納米，以及三星14納米的電子顯微鏡圖，其指出，英特爾14納米側壁的斜率要比22納米垂直，根據官方的說(shuō)法，這能使英特爾的散熱鰭片（fin）更高更瘦，以提升效能。
而三星14納米制程電子顯微鏡圖相較起來(lái)，和英特爾14納米制程還比較相近，加以AshrafEassa用臺積電宣稱(chēng)16納米FinFETPlus能比三星最佳的14納米技術(shù)在相同功率下，效能能比三星提升10%來(lái)推測，臺積電16納米FinFETPlus的晶體管結構應與三星相差不遠，甚至鰭片（fin）會(huì )更加細長(cháng)。
