臺積電3Q15營收2,125E，+3.4QoQ，12吋wafer約當出貨量2,216K，-1%QoQ，毛利率（GM）從上季48.5%微降到48.2%，營業(yè)利益率（OPM）從2Q15季的37.5%微降到3Q15的36.9%，營業(yè)利益（OP）從1Q15季866E降到2Q15的771E。GM和OPM都在公司財測范圍內。稅后凈利753E，EPS2.9元。
根據(jù)公司揭露的資料推估，3Q15總產(chǎn)能約2,300K12″約當晶圓，出貨量產(chǎn)能利用率（Utilization;UTR）約95%，低于1Q15的102%和2Q15的98%，推估BlendedASP估計US$2,935，和上季持平。3Q15制程別產(chǎn)品組合和上季比較變動不大，16nm+20nm共21%（估計16nm2%，20nm19%）、28nm27%，28nm以下制程比率合計48%。
公司guidance4Q15營收2,010~2,040E，GM47.5~49.5%，OP36.5~38.5%。假設4Q15產(chǎn)能2,368K，出貨量2,068K，產(chǎn)能利用率將降到86%，ASP假設持平，則營收約2,030E，-4~5%QoQ。產(chǎn)能利用率降了9%，毛利率還能維持住，表示臺積電4Q15的良率，尤其是強勁rampup的16nm制程，應該有非常顯著的進步，才能抵銷產(chǎn)能利用率下滑的負面影響。
結構獲利能力持續(xù)進步
臺積電近年的結構獲利能力（structuralprofitability）持續(xù)進步，結構獲利能力由兩個部份組成：
標準毛利率（standardgrossmargin，SGM）：特定產(chǎn)能力用率之下的毛利率。
標準產(chǎn)能利用率（standardutilization）：臺積電企圖達到或超過的產(chǎn)能利用率。
過去幾年，臺積電的SGM穩(wěn)定進步，換句話說，同樣一個產(chǎn)能利用率，每年的GM都更高，而標準產(chǎn)能利用率，也一直維持得很高，因此結構獲利能力也持續(xù)進步。結構獲利能力和整體的長期CAPEX產(chǎn)能投資正確與否、或景氣突然熱絡或低落所造成的產(chǎn)能利率用過高或過低無關，代表的是日常營運能力、公司內部的能力和外部大環(huán)境的變化、以及公司對外部環(huán)境的預測能力，比較無關。臺積電的結構獲利能力的進步，來自于以下3方面的努力，讓成本持續(xù)下降。
工廠營運管理持續(xù)創(chuàng)新，帶來的生產(chǎn)力和效率提升，也讓設備更有效的被使用。
先進制程產(chǎn)能擴張，非常謹慎小心。雖然這幾年還是有大量CAPEX擴充產(chǎn)能，因臺積電和大客戶已成伙伴關系，新制程產(chǎn)能投資，都能配合客戶的產(chǎn)品規(guī)劃和產(chǎn)能需求，不像后進者，只能先投資制程產(chǎn)能，再來爭取客戶的secondsource。
這幾年每一代新制程的良率提升速度穩(wěn)定進步。新制程量產(chǎn)后一、兩年，毛利率往往低于公司平均數(shù)，因此，每代新制程的良率提升速度，對全公司的整體毛利率影響很大。
從財報上來觀察結構獲利能力的變化。我們將3Q15營業(yè)成本（COGS）1,102E分成兩塊，「折舊攤提」=561E和「其他營業(yè)成本」=540E，半導體公司大部份的折舊發(fā)生在COGS的廠房機器設備，少部份發(fā)生在OPEX辦公設備，這里簡化都計入COGS，將折舊攤提/wafer出貨量，=每片wafer折舊成本US$795，約略等于2Q15的US$791，（折舊/wafer）影響因素包括：1.總折舊攤提金額、2.產(chǎn)能利用率、3.產(chǎn)能的制程組合、4.出貨的制程組合。
通常采用越先進制程生產(chǎn)的晶圓，因為設備越昂貴，以及cycletime越長，每片wafer分擔的折舊金額越高，這也是3Q14和4Q14當20nm比率大幅上升的時候，（折舊/wafer）暴增到US$800以上的原因，隨后1Q15~3Q1520nm比率維持在15~20%，總折舊攤提金額降低，（折舊/wafer）下降到US$769、US$791和US$795，預料未來一年，隨著更多20nm和16nm設備投產(chǎn)認列折舊，以及16nm制程產(chǎn)品cycletime長達3個月，（折舊/wafer）未來接近或超過US$800將成為常態(tài)，一旦不景氣產(chǎn)能利用率跌破90%時，（折舊/wafer）更可能高于US$850，也就是說，先進制程雖然ASP高，分攤設備折舊也高，加上cycletime長，metal和poly層數(shù)更多，耗用的材料成本也更多，量產(chǎn)初期幾季，良率還不夠好的時候，往往GM反而低于成熟制程。
將3Q15（其他營業(yè)成本/wafer出貨量），=每片wafer其他營業(yè)成本US$765，比1Q15的US$792低，而比2Q15的US$740高，這個數(shù)字，最能看出一家半導體公司的真正工廠效率和經(jīng)營績效，有點類似EBITDAmargin的觀念，但直接算成perwafer的數(shù)字，更為實際，其他營業(yè)成本，主要是制程中消耗的原材料、設備/設施/無塵室維持、線上工程師和作業(yè)員等，和會計上的變動成本接近，但有些項目，理論上可變動，實務上不太能變動，例如直接人工、工廠維持等，還是要算在（其他營業(yè)成本/wafer），影響因素包括：
生產(chǎn)效率，例如各廠區(qū)、各機臺和產(chǎn)品的最適當分配、各機臺的普遍嫁動率、產(chǎn)品總良率和各單站機臺良率、工廠layout等，尤其是foundry廠，有幾百個不同制程的產(chǎn)品在各工廠里面跑，要最佳化的安排這些多種少量的產(chǎn)品，最能顯現(xiàn)出臺積電這種專業(yè)foundry和SamsungLSI這種IDMfoundry管理效率的差距，這一、兩年臺積電開始將一些productlifecycle長的客戶產(chǎn)品，自行在淡季時增加投片量，降低生產(chǎn)高低波動，也是提高生產(chǎn)效率的一個做法；
制程組合和cycletime，越先進制程耗用的材料越多，有些材料耗用和先進制程成正比（例如光阻劑），有些材料和制程比較無關，但先進制程layer數(shù)多，多做幾layer本來就會用更多材料、更多人力時數(shù)、更多廠房設施維持成本（氣體水電環(huán)保等）。
良率。
產(chǎn)能利用率的影響不若（折舊/wafer）大，但仍有些許影響。依據(jù)臺積電法說會給的4Q15guidance，計算出4Q15的（其他營業(yè)成本/wafer）將下降到US$715，在16nm制程放量、產(chǎn)能利用率下降的情況下，這個數(shù)字還能下降，表示16nm、20nm甚至主流的28nm良率，應有明顯進步，帶來相當?shù)腸ostdown效果。
半導體景氣調整，2016年溫和成長
2015年全球經(jīng)濟成長趨于緩和，終端產(chǎn)品需求不振，全球Smarphone約成長10%、PC衰退6~7%、TabletPC衰退15%，半導體市場，年初展望樂觀，下單積極，2Q15中期之后，逐漸發(fā)現(xiàn)景氣有變數(shù)，下單轉趨保守，但對于年中旺季還有期待，2H15forecast不敢砍太多，到3Q15中期確定今年景氣不佳，庫存偏高，廠商紛紛大幅下修9~12月的訂單，嚴格控制庫存。終端產(chǎn)品需求不振，讓半導體產(chǎn)業(yè)庫存調整時間拉長，2015年全球半導體市場大概只有零成長，預料到2015年底或1Q16季中，才有機會消化完畢，而于2Q16恢復比較健康的成長軌道，預估2016年半導體成長3%。
2016~2017年，除了總體經(jīng)濟之外，半導體產(chǎn)業(yè)的成長動力，來自于以下幾個方面：
高階手機的半導體含量（siliconcontent）繼續(xù)成長：手機市場明顯M型化，高階手機這幾年，性能快速提升，CPU/GPUperformance已經(jīng)追上低階PC、MobileDRAM和NANDFlash容量接近PCDRAM和SSD容量，其他如CMOSsensor、basebandModem、LCD解析度都讓半導體含量持續(xù)成長，不但半導體含量增加，基于performance、power和cost考量，高階手機對先進制程的需求還是十分強烈，這個趨勢對先進制程技術、產(chǎn)能和服務都相對領先的臺積電有利。
物聯(lián)網(wǎng)（InternetofThings）逐漸成型：最先看到有量應用領用，例如汽車、無人機、機器人、穿戴式裝置等，雖然這些產(chǎn)品用到的制程多是成熟制程，半導體含量也不高，但是數(shù)量龐大，當聯(lián)網(wǎng)的東西巨量成長之后，背后所需要的運算和儲存能量也將成長，包含資料中心、伺服器、網(wǎng)路處理器、CPU/GPU、影像處理等，這些則需要半導體先進制程。
主導新應用的系統(tǒng)公司：以往，foundry的客戶最大是FablessIC設計公司、其次是IDM、系統(tǒng)公司（sysemhouses）非常少，只有Microsoft、Sony、Cisco等少數(shù)幾家。但Apple自從涉入AP處理器之后變成foundry超大客戶之后，未來將看到越來越多大型系統(tǒng)公司，或者因為想掌控供應鏈、或者因為市面上的標準IC（ASSP）不符合本身的應用需求，像Apple一樣，開始成立IC設計部門，設計自身產(chǎn)品需要的ASIC，例如華為/海思集團、LG集團，在foundry的投片量越來越大。
20nm和16nm制程良率大幅改善，2016年16FFC推進主流市場
臺積電的先進制程近年來僅落后英特爾，但領先IBM聯(lián)盟的SamsungLSI和GlobalFoundries。英特爾早在22nm制程技術，就開始使用3DTri-gatetransistors，14nmTri-gate也在2014就量產(chǎn)。臺積電和Samsung都是到14/16nm才導入3DFinFETtransistors，并且到2015年才量產(chǎn)。
SamsungLSI這兩年靠AppleAP大訂單練兵，在32/28nm制程逐漸趕上臺積電，當時臺積電繼28nm取得技術和市場的主導地位后，接下來發(fā)展的20nm，更幾乎是壟斷地位，SamsungLSI自認20nm已經(jīng)來不及，加上判斷20nm還是用2Dplanartransistors，performance/cost不會很好，制程技術生命周期不長，22/20nm僅有研發(fā)和自制in-houseAP，數(shù)量不多，沒有外接foundry訂單，而把主力直攻14nmFinFET，原本外界質疑沒有經(jīng)過22/20nm的大量產(chǎn)經(jīng)驗，直接發(fā)展14nm本來就很困難，又采用新的3DFinFETtransistors，應該不會很順利，沒想到Samsung真的做到了，首度在14nmFinFET制程領先臺積電于1Q15量產(chǎn)，率先生產(chǎn)自家ExynoxAP，接著生產(chǎn)AppleA9和QualcommSnapdragon820，使得臺積電公開承認2015年14/16nm制程foundry市場市占率將首度落后競爭對手。
臺積電20nm（20SoC）經(jīng)驗和良率持續(xù)進步，在2015全年扮演重要的業(yè)績貢獻角色，但2016年因為主要的20nm業(yè)務將轉進到16nm，20nm將衰退，雖然不會消失，仍將是一個長期生存的制程技術（long-livednode），只是因為部份需求轉移到16nm，臺積電的部份20nm制程設備也將轉為用于16nmFinFET制程產(chǎn)品。
臺積電的16nmFinFET+（16FF+）制程，策略上是將16nm視為20nm的延伸，使用和20nm相同的「metalbackendprocess」，雖然scaling等規(guī)格上比不上Samsung的14nm，制作的晶片diesize較大，但因為是延續(xù)20nm技術，不僅可以充分利用20nm的量產(chǎn)經(jīng)驗縮短學習曲線，而且90%以上的設備可以共用。臺積電的16nmFinFET+制程產(chǎn)品已經(jīng)于2Q15正式量產(chǎn)，7月開始小量出貨，3Q15逐漸增大的投產(chǎn)量，將于4Q15大量出貨貢獻營收，研判4Q15時16nmFinFET+的良率應可大幅拉升。新產(chǎn)品（AppleiPhone6s/6s+用的A9AP）量產(chǎn)動能可持續(xù)到1H16。臺積電預測2016年全年的16nm制程營收，將比2015年的20nm營收，還要大很多，并將于2016年重新取得主要地位的市占率（14/16nm）。至于20nm臺積電仍是唯一大量產(chǎn)的foundry。如果用16nm+20nm一起看，無論是2015或2016年，臺積電都是最大的主要供應商。
臺積電正在開發(fā)新版16nmFinFETC（16FFC）制程，C的意思是compact，在performance、power（降低漏電）和area（diesize）都比16nmFinFET+改進，并能在0.6V以下執(zhí)行，透過制程簡化讓cycletime縮短。即使性能大幅改進，原先基于16FF+制程的晶片設計，還是可以很容易的轉換成16FFC制程，16FFC的市場定位為mainstream和ultralowpower，意味在performance的改進，沒有power和cost那么多。
01月07日 18:14
