隨著當(dāng)前智能型手機(jī)、SSD 等產(chǎn)品的市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，包括閃存、內(nèi)存等儲(chǔ)存芯片需求大量成長(zhǎng)，近期價(jià)格也擺脫低潮，持續(xù)上漲，這樣的機(jī)會(huì)點(diǎn)這也給了中國(guó)相關(guān)企業(yè)介入儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的發(fā)展契機(jī)。根據(jù)外電的報(bào)導(dǎo)，在這波儲(chǔ)存芯片的熱潮下，中國(guó)本身也將在 2017 年推出 32 層堆棧的 3D NAND 閃存。雖然，這樣的技術(shù)相較南韓三星、日本東芝等國(guó)際大廠來(lái)說(shuō)仍有落差，但總是為中國(guó)閃存市場(chǎng)跨出第一步。
在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，儲(chǔ)存芯片的發(fā)展名列最優(yōu)先位置，也是全國(guó)各地都搶著爭(zhēng)取的項(xiàng)目。其中，中國(guó)國(guó)家級(jí)的儲(chǔ)存芯片基地在武漢，目前投資超過(guò) 240 億美元（約新臺(tái)幣 7,563 億元）。之前由新芯科技主導(dǎo)，在 2016 年 7 月份紫光集團(tuán)收購(gòu)了新芯科技大多數(shù)股權(quán)之后，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光集團(tuán)主導(dǎo)，并預(yù)計(jì) 2017 年正式推出自主生產(chǎn)的 32 層堆棧 3D NAND 閃存。
2015 年，國(guó)家級(jí)儲(chǔ)存芯片基地確定落腳武漢之后，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)的 12 吋晶圓廠，已經(jīng)于 2016 年 3 月份正式動(dòng)工。整個(gè)計(jì)劃預(yù)計(jì)分為三期，現(xiàn)在啟動(dòng)的是第一期，主要目標(biāo)是生產(chǎn) 3D NAND 閃存為主。而在 2018 年將啟動(dòng)的第二期建設(shè)，規(guī)劃是上則是以 DRAM 內(nèi)存為主。至于， 2019 年啟動(dòng)第三期建設(shè)，主要目標(biāo)則為晶圓代工服務(wù)。而產(chǎn)能部分，2020 年目標(biāo)為每月 30 萬(wàn)片，到了 2030 年則是每月 100 萬(wàn)片。
2016 年 7 月份，紫光集團(tuán)收購(gòu)了新芯科技多數(shù)股份之后，隨即成立了武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技 （TRST），紫光集團(tuán)持股超過(guò) 50% ，董事長(zhǎng)趙偉國(guó)也將兼任長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技的董事長(zhǎng)。這事情所顯示出的意義，即是紫光集團(tuán)在收購(gòu)美光觸礁，購(gòu)并 WD 也不成功的情況下，現(xiàn)在總算是可以正式進(jìn)軍儲(chǔ)存芯片領(lǐng)域。而且根據(jù)規(guī)畫，長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快在 2017 年底，就將正式推出中國(guó)本土生產(chǎn)的 32 層堆棧 3D NAND 閃存。
過(guò)去，新芯科技主要以生產(chǎn) NOR 閃存為主，而當(dāng)前的 NAND 閃存其技術(shù)層次要高于 NOR 閃存，而主要技術(shù)來(lái)源是飛索半導(dǎo)體（Spansion）。因此，考慮到與國(guó)際大廠三星、Hynix、東芝、美光、Intel 等公司的技術(shù)差距，中國(guó)本土生產(chǎn)的 32 層堆棧 3D NAND 閃存的其已經(jīng)有一定的技術(shù)層次。只是，2017 年底推出時(shí)，這些國(guó)際大廠包括 48 層堆棧，甚至是 64 層堆棧的 3D NAND 閃存可能早已經(jīng)問(wèn)世。
不過(guò)，在中國(guó)自主發(fā)展儲(chǔ)存芯片的政策，而且相關(guān)業(yè)者在政府扶持的情況下，未來(lái)技術(shù)上依舊會(huì)持續(xù)追趕。以新芯科技來(lái)說(shuō)，在 2017 年推出 32 層堆棧 3D NAND 閃存，也預(yù)計(jì)將在 2018 年底前推出 48 層堆棧的 3D NAND 閃存，逐步縮小技術(shù)上的差距。
01月07日 18:14
