半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)ICinsights于2017年3月3日公告中指出，2017年有11家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過(guò)10億美元，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總合的78%。而2013年，全球僅有8家半導(dǎo)體廠資本支出預(yù)算超過(guò)10億美元水平。前十大廠有兩家今年資本支出成長(zhǎng)在兩成以上，分別是英特爾的25% 與格邏方德的33%。
英特爾的做法
為了進(jìn)一步發(fā)展生產(chǎn)制程，英特爾將在2017年建立一座7納米nm制程的試驗(yàn)工廠。該實(shí)驗(yàn)工廠將會(huì)測(cè)試7nm晶片生產(chǎn)制程。不過(guò)，雖然英特爾并未提及會(huì)在何時(shí)開(kāi)始這種制程晶片的量產(chǎn)，外界認(rèn)為至少在未來(lái)2到3年內(nèi)不會(huì)實(shí)現(xiàn)。
英特爾表示，7nm制程將為晶片帶來(lái)更大的設(shè)計(jì)變化，使其體積變得更小，也更為節(jié)能。英特爾計(jì)劃使用奇特的III-V材料（比如氮化鎵）來(lái)進(jìn)行晶片生產(chǎn)，在提高性能速度的同時(shí)也達(dá)到更長(zhǎng)續(xù)航能力。同時(shí)，他們將會(huì)在生產(chǎn)中引入極紫外線（EUV）工具，來(lái)協(xié)助進(jìn)行更加精細(xì)的功能蝕刻過(guò)程。
按照英特爾原來(lái)的“工藝、架構(gòu)、優(yōu)化” 等三步驟來(lái)進(jìn)行規(guī)劃，7納米制程的處理器原本最快應(yīng)在2020年出樣，2021年發(fā)貨。事實(shí)上，根據(jù)業(yè)內(nèi)推測(cè)，這些7nm的處理器不太可能在6到7年為問(wèn)世。
格羅方德的做法
格羅方德去年因產(chǎn)能閑置，資本支出大減62%。格邏方德已決定跳過(guò)10nm，直接挑戰(zhàn)7納米制程，預(yù)料今年絕多數(shù)資本支出將用于采購(gòu)新設(shè)備與技術(shù)研發(fā)。
此外，格羅方德在發(fā)展7納米的同時(shí)把注意力放到了實(shí)際應(yīng)用上：22nm FD-SOI（全耗盡型絕緣層覆硅）制程生產(chǎn)線，產(chǎn)品將能廣泛運(yùn)用于行動(dòng)終端、物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)電子等領(lǐng)域。
在物聯(lián)網(wǎng)浪潮下，F(xiàn)D-SOI技術(shù)也日漸受到重視。與FinFET相比，F(xiàn)D-SOI基板雖然較貴，但在掩模數(shù)量與制造工序比FinFET要少一些，降低部分光罩成本也縮減了制造時(shí)間，在技術(shù)上比FinFET更適合類(lèi)比/混合訊號(hào)以及RF，F(xiàn)D-SOI還具備了低功耗的優(yōu)勢(shì)，因此，不少人認(rèn)為FD-SOI將是物聯(lián)網(wǎng)較佳選擇，或能與FinFET互補(bǔ)。
該企業(yè)2015 年推出的22nm FD-SOI平臺(tái)后，在去年9月進(jìn)一步發(fā)表新的12nm FD-SOI技術(shù)。新一代12納米FD-SOI產(chǎn)品，估計(jì)2018年底將于德國(guó)Dresden Fab 1投產(chǎn)，2019年將22納米FD-SOI生產(chǎn)重心轉(zhuǎn)移至成都新廠。
臺(tái)積電和三星的做法：
在2017年ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)）上，臺(tái)積電5篇論文獲選（美國(guó)臺(tái)積電1篇），2篇論文為類(lèi)比電路領(lǐng)域，記憶體電路設(shè)計(jì)則有3篇。
業(yè)界認(rèn)為，臺(tái)積電將領(lǐng)先業(yè)界在大會(huì)上發(fā)表7納米FinFET技術(shù)。揭示迄今最小位元數(shù)SRAM在7nm FinFET的應(yīng)用，驗(yàn)證0.027μm2 256Mbit SRAM測(cè)試晶片在7納米制程下，能大幅提升手機(jī)、平板電腦中央處理晶片運(yùn)算速度，同時(shí)滿足低功率需求。
臺(tái)積電、三星通常以SRAM、DRAM來(lái)練兵，先從記憶體下手，當(dāng)良品率提升到一定程度再導(dǎo)入邏輯產(chǎn)品。臺(tái)積電先前預(yù)估10納米年底量產(chǎn)、7nm最快2018年第一季生產(chǎn)。
三星在10月初搶先臺(tái)積電宣布10納米量產(chǎn)，市場(chǎng)近期傳出臺(tái)積電7納米最快在明年2017就可試產(chǎn)，4月接單。三星在7nm就引進(jìn)極紫外光微影設(shè)備，并預(yù)計(jì)2017年年底7nm量產(chǎn)。
01月07日 18:14
