記者24日從中國半導體協(xié)會(huì )主辦、賽迪顧問(wèn)承辦的“2017中國半導體市場(chǎng)年會(huì )暨第六屆中國集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng )新大會(huì )”獲悉，2017年有望成為國產(chǎn)存儲器大規模主流化發(fā)展元年。
3D NAND Flash、DRAM是智能手機存儲芯片，中國企業(yè)一直缺席這兩個(gè)主要市場(chǎng)。記者從2017中國半導體市場(chǎng)年會(huì )獲悉，這一狀況有望改變。目前國內存儲器芯片主要參與者有三個(gè)，分別是湖北武漢的長(cháng)江存儲、福建泉州的晉華存儲以及紫光集團。其中，長(cháng)江存儲初期定位Flash 產(chǎn)品，后期將擴展DRAM產(chǎn)品，晉華存儲項目定位DRAM產(chǎn)品。紫光集團除直接入股長(cháng)江存儲外，還將在不同地點(diǎn)布局Flash、DRAM產(chǎn)品。
賽迪顧問(wèn)人士透露，在兩年的準備期之后，2017年上述項目將進(jìn)入實(shí)質(zhì)性項目建設階段。長(cháng)江存儲目前是進(jìn)展最快的一方，其本身在Flash領(lǐng)域已經(jīng)有較豐富的經(jīng)驗，有望率先量產(chǎn)。晉華項目已經(jīng)開(kāi)工建設，項目運營(yíng)由經(jīng)驗豐富的臺灣臺積電負責，技術(shù)則委托聯(lián)電進(jìn)行開(kāi)發(fā)。紫光集團目前在南京開(kāi)工新建Flash產(chǎn)線(xiàn)。
01月07日 18:14
