內(nèi)存價格居高不下 三星投3萬億韓元擴產(chǎn)DRAM工廠

王晨 環(huán)球網(wǎng) 2017-05-04 成為作者
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三星電子圖像傳感器分類：資本市場
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業(yè)界相關(guān)消息稱，三星電子最近向設備合作企業(yè)通報擬投資擴建17線，并在3月向部分企業(yè)下單。有推測認為，投資規(guī)模約為月產(chǎn)35000張300mm硅晶圓，以投資金額計約為2.5-3萬億韓元。
 　　據(jù)韓國電子新聞5月1日報道，韓國三星電子計劃投資近3萬億韓元(約合人民幣183億元)，擴充位于京畿道華城工廠17線DRAM產(chǎn)能。若投資完成，華城工廠將再沒有多余空間，三星計劃在17線生產(chǎn)增產(chǎn)DRAM、3D NAND閃存以及系統(tǒng)半導體。
內(nèi)存價格居高不下 三星投3萬億韓元擴產(chǎn)DRAM工廠

　　業(yè)界相關(guān)消息稱，三星電子最近向設備合作企業(yè)通報擬投資擴建17線，并在3月向部分企業(yè)下單。有推測認為，投資規(guī)模約為月產(chǎn)35000張300mm硅晶圓，以投資金額計約為2.5-3萬億韓元。三星將在此生產(chǎn)10納米DRAM，預計訂貨、設備生產(chǎn)等一系列步驟將在2017年年末或2018年年初完成，2017年下半年即可開始初步生產(chǎn)。

　　報道稱，由于華城工廠11線今后將專門用于生產(chǎn)CMOS和CIS等，三星為彌補產(chǎn)能損失，決定擴建17線。此前，11線在生產(chǎn)圖像傳感器的同時，有部分空間用來生產(chǎn)DRAM。

　　華城工廠分為4部分，內(nèi)部名稱也有所不同，17線用來生產(chǎn)DRAM，16-2線用于生產(chǎn)3D NAND閃存而S3線用來生產(chǎn)10納米系統(tǒng)大規(guī)模集成電路。

　　業(yè)界相關(guān)人士稱，半導體行業(yè)投資以月為單位變化，競爭激烈，本次投資是為彌補11線用途轉(zhuǎn)變導致的產(chǎn)能不足和制程微縮損失，對DRAM供求基本沒有影響。

　　報道稱，三星還計劃在17線旁另建新廠，用來生產(chǎn)7納米系統(tǒng)半導體。
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