今年iPhone6sPlus做了史上最大的硬件升級：引入全新的人機(jī)交互模式3DTouch+TapticEngine，指紋識別速度比過去提升一倍，并且攝像頭升級至1200萬像素，發(fā)布會上透露很少的由14/16納米工藝打造的64位A9處理器，以及采用4顆MEMS麥克風(fēng)。
3DTouch技術(shù)
集合在RetinaHD顯示器里的3DTouch，是在二維Multi-Touch的基礎(chǔ)上增加了壓力傳感功能，即對用戶按壓屏幕的力度做出感應(yīng)和反饋的技術(shù)，與最先應(yīng)用在MacBook和AppleWatch上的ForceTouch技術(shù)相比，二者并沒有本質(zhì)區(qū)別，但是3DTouch的壓感靈敏度更高，感應(yīng)時間更快。同時TapticEngine會發(fā)出輕微的震動感應(yīng)按壓屏幕的力度，配合3DTouch完成壓力觸控反饋。
Capacitiveforcetouchsensorcells
Capacitiveforcetouchsensorcells
TapticEngine
值得一提的是，iPhone6sPlus的TapticEngine在尺寸上較iPhone6s小很多。
除了3DTouch，相較于iPhone6Plus，iPhone6sPlus并沒有增加新的傳感器類型，依舊包含加速度計、陀螺儀、電子羅盤、氣壓計、指紋傳感器、接近與環(huán)境光傳感器、MEMS麥克風(fēng)和CMOS圖像傳感器九種傳感器。供應(yīng)商的選擇上做了部分調(diào)整，下面是iPhone6sPlus和iPhone6Plus在傳感器方面的詳細(xì)對比：
6軸慣性傳感器
相比前一代產(chǎn)品iPhone6Plus，Apple的慣性傳感器供應(yīng)商依然選用了Invensense。但封裝尺寸與前一代產(chǎn)品有較大不同。在iPhone6sPlus中只使用了一顆慣性傳感器（6-Axis加速度計與陀螺儀）。這顆6-Axis慣性傳感器封裝尺寸為4.00mmx4.00mmx0.76mm。
InvenSense6軸慣性傳感器在PCB板上的位置
InvenSense6軸慣性傳感器封裝
InvenSense6軸慣性傳感器的MEMS芯片
氣壓傳感器
Apple繼續(xù)采用了同iPhone6Plus一樣的Bosch氣壓傳感器BMP280，其封裝尺寸為2.50mmx2.00mmx0.95mm。
BMP280氣壓傳感器在PCB板上的位置
BMP280氣壓傳感器封裝
BMP280氣壓傳感器MEMS芯片
磁力計
ALPS磁力計（GMR原理）首次出現(xiàn)在了AppleiPhone的產(chǎn)品上。ALPS的HSCDTD007是之前被廣泛應(yīng)用的AKMAK8963（霍爾原理）的有力競爭者，以低功耗著稱。此次iPhone6sPlus電池容量縮小，Apple換用它，亦合乎常理。其封裝尺寸為1.60mmx1.60mmx0.70mm。
HSCDTD007磁力計在PCB板上的位置
HSCDTD007磁力計封裝
HSCDTD007磁力計的傳感芯片
環(huán)境光和接近傳感器
iPhone6sPlus在光傳感器的使用上也基本沿用了之前的設(shè)計，使用了獨(dú)立的接近傳感器和環(huán)境光傳感器。環(huán)境光使用的是來自AMS的TSL2586。
AMS環(huán)境光和接近傳感器在PCB板上的位置
AMS接近傳感器封裝
指紋傳感器
iPhone6sPlus指紋傳感器依然采用了電容式觸控技術(shù)采集皮膚指紋圖像。其封裝尺寸為12.05mmX10.43mmX1.06mm。
iPhone6sPlus指紋傳感器
MEMS麥克風(fēng)
iPhone6sPlus的4顆麥克風(fēng)中有三顆來自樓氏（麥克風(fēng)1到麥克風(fēng)3），這3顆除了封裝表面Mark略有不同，里面的MEMS芯片全都一樣。
MEMS麥克風(fēng)在PCB板上的位置
MEMS麥克風(fēng)1封裝
MEMS麥克風(fēng)1的MEMS芯片
MEMS麥克風(fēng)4封裝
MEMS麥克風(fēng)4的MEMS芯片
CMOS圖像傳感器
iPhone6sPlus針對攝像頭方面也做了不小的提升，后置攝像頭采用全新的12MPiSight攝像頭模組，其單個像素面積1.22微米比iPhone6plus的1.55微米的單個像素面積更小。該攝像頭模組仍舊沿用iPhone6plus從背部凸起的方式，也采用相同藍(lán)寶石水晶鏡頭表面起到保護(hù)鏡頭的作用。
后置攝像頭CMOS圖像傳感器封裝
01月07日 18:14
